固态硬盘(SSD)是一项大有前途的技术,不过,有分析师表示,在高端企业或者“存储级”的应用上,这一技术可能还没有做好准备。
Convergent Semiconductors研究机构分析师Bob Merritt表示,基于NAND的固态硬盘可能会在高端企业以及“存储级”应用上碰壁。同NAND相比,相变存储技术(phase-change)和电阻记忆体技术(resistive memory),看起来会更有希望应用于存储设备上。
基于NAND闪存的固态硬盘,其诞生目的是为了在某些应用,如移动PC,笔记本电脑和企业服务器上能够取代硬盘驱动器。但是固态硬盘相比硬盘更为昂贵,两者之间的价格差距很大。
另外,这一市场也刚刚起步。固态硬盘在移动PC,高端笔记本电脑和服务器应用上还属于“小荷才露尖尖角”的阶段。
Merritt说:“过去,我们在存储数据上使用磁性介质,DRAM以及SRAM。所有这些技术在写入和擦除数据上被认为是零损耗的,因此在擦写周期上是无穷的。”
他说:“不过,NAND有一个已知的损耗过程。理论上,SLC的擦写寿命为数万次,MLC则在数千左右。所以我们要仔细考虑的应用程序的性能需要,然后再决定应用SSD是否恰当。”
Merritt说:“从人们称为“企业级”的更高层次表现中,OEM厂商能够确定一些不需要大量擦写周期的应用,NAND SSD能够轻松应对那些初级应用。”
据报道,包括IBM和SanDisk在内的一些公司,“不相信NAND能够应用在需要更高可靠性的企业级存储上。”Merritt说。
将固态硬盘定位于这种情况同样是一个错误。他说:“固态硬盘是一个有着重要积极影响和巨大容量提升潜力的产品。半导体公司的风险是由OEM方,或极有可能让最终用户承担。在固态硬盘还未成熟时就将其投入应用,最终只会让市场认为固态硬盘“不可靠”。从保证技术的健全的角度来说,我觉得,完全转嫁责任的做法对半导体公司来说还言之过早。”
那么结论是什么?固态硬盘是一些应用的完美选择,但并不是所有的。对高端企业而言,使用NAND闪存基础的固态硬盘将不会有什么损害。
IBM和SanDisk相信,“相变和电阻存储将是唯一两种看起来会在商业上可行的技术。”Merritt说。
IBM公司将电阻记忆体技术称为“solid electrolyte”或“SE memory”。Merritt补充道,目前已知的SE memory是惠普的memresistor技术和Arizona State/Axon Technology记忆体。
新兴技术正在迎头赶上
在电子电路学上,忆阻器(memristors)属于除电阻,电容和电感以外的第四种被动电路。在基础材料控制上所取得的进展,使得这一技术正在逐步向成品化靠拢。2009年前后可能会有相关成品设备问世。
今年4月,惠普实验室声称“发现”了忆阻器。目前,位于加州Palo Alto的惠普实验室表示,他们正在研究如何控制忆阻器材料,以改变其内阻,进一步提高响应速度。更为长远的规划是,希望能为这一材质加快开发商业标准芯片,从而能在明年为其RRAM(resistive random-access memory 电阻式随机存取记忆体)所用。
Axon Technologies公司提出了一种称之为PMC(Programmable Metallization Cell 可编程金属单元)的记忆体装置。PMC是一种依靠电阻变化,状态稳定的记忆体技术。它同闪存这类传统设备相比功耗更低。业界认为PMC的应用范围极广,在节能计算、个人娱乐和移动通信等应用上都会表现得很理想。
PMC由亚利桑那州立大学开发。Axon的稳定记忆体技术正在朝着离散存储器和嵌入存储器双方向发展。